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计算机DRAM | Samsung 动态随机存取存储器
三星计算机DRAM

正确的记忆体解决方案可以是你最重要的竞争优势之一。 三星领先业界的尖端DRAM技术,包括DDR2,DDR3-很快,DDR4,以提高你的设计的成功。 利用三星的今天速度最快,性能最高的DDR3内存与双通道,128位的内存模块,以使吞吐量超过每秒25.6GB / s的。

满足加强电源效率要求

我们最新一代的计算的DRAM提供了一个出色的速度和效率相结合。 专用车载电源管理功能,有助于降低功耗在空闲内存周期。 

能源效率可以转化为大的节省成本的服务器和桌面环境对于笔记本用户来说,电池寿命长,小的碳足迹。 三星计算的DRAM解决方案提升竞争力的功能,使您能够:

30-nm级,1.35V,2GB DDR3利用我们的超低功耗的内存技术。
实现内存电源节省高达67%采用了三星最新推出的20纳米级DDR3解决方案,相比现有的50纳米级DDR3。
在电压低至1.2V时操作,同时实现了近两倍的带宽,DDR3即将到来的DDR4内存。

K4B1G0446G MassProduction 1Gb Computing 256Mx4 1.5, 1.35 F8, H9, K0, MA 78FBGA
K4B1G0846G MassProduction 1Gb Computing 128Mx8 1.5, 1.35 F8, H9, K0, MA 78FBGA
K4B1G0446F MassProduction 1Gb Computing 256Mx4 1.5, 1.35 F8, H9, K0 78FBGA
K4B1G0846F MassProduction 1Gb Computing 128Mx8 1.5, 1.35 F8, H9, K0 78FBGA
K4B2G0446E MassProduction 2Gb Computing 512Mx4 1.5, 1.35 H9, K0, MA 78FBGA
K4B2G0846E MassProduction 2Gb Computing 256Mx8 1.5, 1.35 H9, K0, MA 78FBGA
K4B2G0446D MassProduction 2Gb Computing 512Mx4 1.5, 1.35 F8, H9, K0, MA 78FBGA
K4B2G0846D MassProduction 2Gb Computing 256Mx8 1.5, 1.35 F8, H9, K0, MA 78FBGA
K4B4G0446C MassProduction 4Gb Computing 1Gx4 1.5, 1.35 H9, K0, MA 78FBGA
K4B4G0846C MassProduction 4Gb Computing 512Mx8 1.5, 1.35 H9, K0, MA 78FBGA
K4B2G0446C MassProduction 2Gb Computing 512Mx4 1.5, 1.35 F8, H9, K0 78FBGA
K4B2G0846C MassProduction 2Gb Computing 256Mx8 1.5, 1.35 F8, H9, K0 78FBGA
K4B8G1646B MassProduction 8Gb Computing 512Mx16 1.5, 1.35 K0 96FBGA
K4B8G3346B MassProduction 8Gb Computing 256Mx32 1.5, 1.35 H9, K0 136FBGA
K4B4G0446B MassProduction 4Gb Computing 1Gx4 1.5, 1.35 F8, H9, K0, MA 78FBGA
K4B4G0846B MassProduction 4Gb Computing 512Mx8 1.5, 1.35 F8, H9, K0, MA 78FBGA
K4B4G1646B MassProduction 4Gb Computing 256Mx16 1.5, 1.35 H9, K0 96FBGA
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三星半导体官网发布的行业动态(2022年12月3日更新)
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