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三星半导体(Samsung)全球现货资源整合通路代理商
三星半导体(Samsung)公司概况:三星芯片中国授权代理

1974年三星电子收购Hankook半导体后在韩国成立了半导体业务部。通过实施积极的扩张战略,三星从1993年起成功赢得并保持内存市场领导地位,从2003年起NAND Flash市场占有率居世界第一。位于韩国器兴的三星电子半导体业务部,由三个主要业务部门组成:记忆体、系统LSI以及储存系统。2010年2月,三星电子成为世界上第一家可商业化生产30nm级DRAM器件的厂家。在DDR3批量生产过程中采用30nm-级工艺技术,与采用40nm-级工艺技术生产DDR3相比,生产效率提高了60%。在2004年,三星首先推出了其具有广泛用途的OneNAND,这是NOR闪存与NAND闪存的一种独特融合产物。2008年9月,三星推出了多媒体手机专用512Mb OneDRAM,并开始为世界主要手机制造商提供其制造的1Gb OneDRAM样品。NAND 闪存:从2002年开始,三星就成为世界上领先的NAND闪存制造商。三星的NAND闪存已经成为诸如数码相机,手持设备,MP3播放器以及U盘等产品中必不可少的关键部件。2010年4月,三星在业界率先开始了用于安全数码存储卡(SD卡)及嵌入式内存解决方案的20nm–级NAND芯片的大规模生产,三星在三星芯片代理商销售及技术开发方面,继续保持行业领先地位...

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2024年5月3日被热门搜索和购买的三星芯片器件型号更多...
CIH02T2N9BNC
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CL21C4R7CBAANNC
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K6T1008C2E-RB55
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SI-B8R09A280WW
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固定电感器
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存储芯片
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存储芯片
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芯片电阻
K6T080C1D-L
SRAM存储器IC
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陶瓷电容器
SPHWHAHDND2VYZU2D2
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
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芯片电阻
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LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
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陶瓷电容器
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存储芯片
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DRAM存储器IC
KMRNW0001M-B509
存储芯片
RC1608F7680CS
芯片电阻
K4P2G324ED-ZGC1
存储芯片
K9LCG08U0A-SCB0
存储芯片
KMR310001M-B611
存储芯片
K9K1G08U0M-YCB0
闪存IC
K4M56323PG-HG75T
DRAM存储器IC
CL21B183KBANFNC
陶瓷电容器
RC3216J514CS
芯片电阻
K6T4008C1B-VB70
存储器IC
KM416C1004CJ-L4
DRAM存储器IC
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芯片电阻
K6X0808C1D-BF55T00
SRAM存储器IC
CL10C102JB8NNND
陶瓷电容器
K4B4G0846E-BMK0
双倍数据率同步动态随机存储器
SPHWH2HDNE08YHV2C1
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
SPHWHAHDND25YZQ3D2
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
CL10A475MA8NQNC
陶瓷电容器
CL31C221JHFNFNE
陶瓷电容器
SIP-KITNXC001
评估板 - 嵌入式 - MCU,DSP
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陶瓷电容器
S3C2443X40-YL8N
存储芯片
S2MPU04
电源IC芯片
SPHWHTHAD605S0VUVZ
LED 照明 - COB,引擎,模块
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芯片电阻
SC32442A
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LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
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存储芯片
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芯片电阻
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固定电感器
RC1005F10R7CS
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SRAM存储器IC
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LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
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芯片电阻
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陶瓷电容器
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存储芯片
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芯片电阻
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陶瓷电容器
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芯片电阻
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陶瓷电容器
CL05F104ZONC
陶瓷电容器
K7R320982C-EC25000
SRAM存储器IC
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三星电子半导体业务部由记忆体、系统LSI以及储存系统三个主要业务部门组成,三星NAND Flash市场占有率居世界第一

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